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Compiti su fisica dei semiconduttori e giunzioni P-N: spiegazione delle bande energetiche in silicio, espressioni campo elettrico e potenziale in giunzione P-N, effetto Webster-Rittner, corrente di diffusione degli elettroni liberi, condizione di rottura per ionizzazione da impatto, pinch-in in transistore BIT NPN, andamento spaziale delle aliquote di densità di corrente, relazione di Boltzmann, temperatura reticolare, capacità di diffusione, caratteristiche di ingresso a emettitore comune.
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- Chiarire raggruppamento livelli energetici nel guscio 73 di silicio
- Ricavare espressioni campo elettrico e potenziale in giunzione P-N polarizzata
- Descrivere effetto Webster-Rittner in BIT NPN con base corta, ricavare condizioni di innesco
- Ricavare corrente di diffusione degli elettroni liberi in giunzione P-N
- Derivare condizione di rottura giunzione P-N per ionizzazione da impatto con approssimazione Fulop
- Dato transistore a base comune, descrivere effetto pinch-in
- NIVErsiI quote densità corrente regime barretta corta sottoposta radiazione luminosa incidente laterale
- Valutare andamento spaziale aliquote densità corrente regime barretta corta N sottoposta radiazione luminosa incidente laterale
- Derivare espressione corrente generazione giunzione P-N inviluppo polarizzata
- Valutare andamento spaziale aliquote densità corrente regime barretta corta N sottoposta radiazione luminosa incidente laterale
- Determinare relazione Boltzmann concentrazione elettroni livelli energetici Ec Ep
- Enucleare motivi introduzione transistori bipolari eterogiunzione AIGaAs/GaAs
- Ricavare, disegnare commentare caratteristiche ingresso emettitore comune B NPN
- Valutare temperatura reticolare limite regione congelamento regione estrinseca campione silicio tipo N non degenere equilibrio termodinamico
- Derivare espressione capacità diffusione giunzione P-N regio quasi-neutre P e N corte
- Ricavare, disegnare commentare caratteristiche ingresso a emettitore comune B NPN regioni funzionamento dispositivo
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