Struttura del MOSFET n-channel: composto da substrato, SiO2, e contatti source, drain e gate.
Principio di funzionamento: al VGS > 0V e VDS = 0V, i carichi elettronici si spostano verso l'armatura blu creando un canale tra source e drain.
Operazione in zona di saturazione: con VD > VDsat, la popolazione di elettroni nel canale diminuisce, causando un'appiattimento delle curve della corrente.
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