La tensione del gate è calcolata come 3.5V, determinando la tensione di gate-to-source (VGS) in entrambi i casi: VGS = -1V quando Rd=10k e VGS = -2V quando Rd=4k.
Per Rd=10k, il PMOSFET è in zona ohmica; per Rd=4k, il dispositivo si trova nella zona di saturazione con una corrente ID di 927µA.
I calcoli della corrente drain (ID) mostrano che per Rd=10k l'ID è approssimativamente 1mA e per Rd=4k l'ID è 927µA.
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