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- Analisi dei circuiti MOS in saturazione per esercizi su amplificatori a source comune e follower, includendo il calcolo del punto di quiescenza Q, la verifica delle condizioni di funzionamento VDS > VGS-VTH, la determinazione della transconduttanza gm e la derivazione delle formule per guadagno Av e resistenza di uscita Rout con resistenze di source.
- Studio dettagliato degli esercizi n.1 e n.4 riguardanti l'analisi dinamica dei circuiti a source comune, con calcolo della funzione di trasferimento Av(s) considerando poli e zeri introdotti da capacità o effetti parassiti, costruzione dei diagrammi di Bode per modulo e fase e verifica dell'approssimazione adinamica.
- Verifica del funzionamento in saturazione per transistor pMOS nel contesto di stadi con partitore al gate, calcolo delle grandezze di piccolo segnale trascurando l'effetto canale lungo e dimostrazione che la resistenza di ingresso è infinita grazie all'assenza di corrente nel gate.
- Derivazione dell'espressione del guadagno di tensione Av per configurazioni con feedback negativo introdotto da resistenze di source o partitori, ottenimento di valori numerici specifici come -8 (18,06 dB) e analisi della resistenza di uscita risultante uguale alla resistenza di drain.
- Identificazione dello stadio come inseguitore di tensione (source follower) con guadagno unitario Av=1 e resistenza di ingresso infinita, calcolo della resistenza di uscita Rout pari a 1/gm e confronto con limiti ad alta impedenza per confermare il comportamento del circuito.
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