La matrice di memoria è composta da m righe (word line) e n colonne (bit line), decodificate in potenze di 2.
In una RAM statica, si usano 2 invertitori per vari configurazioni con ingressi alti e bassi; l'ingresso del primo e l'uscita del secondo sono uguali, permettendo una doppia inversione dove Vin = Vout.
Il circuito può trattenere il dato e modificarlo utilizzando porte OR o NOR; per settare un latch si richiede che tutti gli ingressi siano bassi.
I transistori in ingresso funzionano come interruptori per far accedere la word line agli inverters, attivando tutte le celle di una certa riga.
L'n-MOS funziona come interruptore per connettere o separare i due condensatori.
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